氮化硅陶瓷球批發(fā)<br>

納米粉原料中含有大量的SiO2可以促進坯體的燒結，同 時對瓷體的介電性能有較大的影響因坯體收縮，在致密 化以前，其介電常數(shù)隨燒結溫度的升高而增大當溫度高 于1 510℃時，隨著燒結溫度的升高，原料中氮化的Si-O數(shù) 增加，瓷體的宏觀缺陷增加，相對密度降低，因此瓷體的介電常數(shù)趨于減小在1 510℃燒結溫度下，若不加埋料時，坯體中有的Si-O不能被氮化； 用石墨粉作埋料，則發(fā)生滲碳現(xiàn)象，降低了Si3N4天線 罩材料的介電性能<br>
硬度9~9.5，努氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa
氮化硅在 600℃以上能使過渡金屬（見過渡元素）氧化物、氧化鉛、氧化鋅和二氧化錫等還原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>

熱導率為16.7W/(m·K)在很寬的溫度范圍內氮化硅都是一種具有一定的熱導率、低熱膨脹系數(shù)、彈性模量較高的高強度硬陶瓷<br>
灰色、白色或灰白色<br>

在相同的溫差條件下，碳化硅材料的尺度變化要小得多，相應材料內部產生的熱應力就小，從而使材料體現(xiàn)出較強的抵抗熱負荷的能力圖2給出氧化鋁和碳化硅兩種多孔材料的熱膨脹系數(shù)與溫度的關系，在溫度為30～1000℃范圍內，多孔氧 化鋁和碳化硅的熱膨脹系數(shù)分別為7.03×10－6 /K與 1.14×10－6/K，多孔碳化硅的熱膨脹系數(shù)僅為氧化鋁的16%，表明碳化硅材料的抗熱震性能較氧化鋁<br>

屬高溫難溶化合物，無熔點，抗高溫蠕變能力強，不含粘結劑的反應燒結氮化硅負荷軟化點在1800℃以上<br>
比體積電阻，20℃時為1.4×105 ·m,500℃時為4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進入常用電介質行列<br>

剪切模量：材料常數(shù),是剪切應力與應變的比值又稱切變模量或剛性模量材料的力學性能指標之一是材料在剪切應力作用下，在彈性變形比例極限范圍內，切應力與切應變的比值它表征材料抵抗切應變的能力模量大，則表示材料的剛性強剪切模量的倒數(shù)稱為剪切柔量，是單位剪切力作用下發(fā)生切應變的量度，可表示材料剪切變形的難易程度<br>
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